半導體技術的一個重要目標是減少所有構成半導體器件中，晶體和非晶層中固有的和因生產工藝引起的缺陷。雜質、晶界、晶面等引起的缺陷會導致陷阱的產生，陷阱可以俘獲自由電子和空穴。即使?jié)舛确浅５停葳逡材躩i大地改變半導體器件的性能。數(shù)字化深能級瞬態(tài)譜儀DLTS是現(xiàn)在一種非常通用的技術，可用于測定與陷阱相關的幾乎所有參數(shù)，包括密度、熱界面（熱發(fā)射率）、能級和空間剖面等。

主要特點

●快速而靈敏地檢測半導體中的電活性缺陷

●高靈敏度：體陷阱檢測限< 10⁹ atoms/cm³；

●具有低至3微秒的快速響應時間

●具有對過載的快速恢復能力以及對泄露電流的高免疫能力

●快速溫度掃描能力：每8分鐘100K且不影響靈敏度

●高達60dB的背景電容抑制能力度 

●數(shù)字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采樣增量，50倍的時間跨度，和不限平均點數(shù)的平均瞬態(tài)

●單次溫度掃描可同時記錄不同發(fā)射率窗下的8幅譜圖

數(shù)字化深能級瞬態(tài)譜儀DLTS主要應用

  ●PN結                 ●肖特基二極管

  ●MOS管             ●LED

  ●場效應管           ●半導體激光器

  ●高電阻率半絕緣材料